Lanzamiento del Centro Global de I+D de TSMC

El Centro Global de I+D de TSMC se inauguró hoy y se invitó a Morris Chang, el fundador del evento de TSMC por primera vez después de su jubilación.Durante su discurso, expresó especial agradecimiento al personal de I+D de TSMC por sus esfuerzos, haciendo que la tecnología de TSMC sea líder e incluso se convierta en un campo de batalla global.

Del comunicado de prensa oficial de TSMC se desprende que el centro de I+D se convertirá en el nuevo hogar de las instituciones de I+D de TSMC, incluidos investigadores que desarrollan tecnología de vanguardia de TSMC de 2 nm y superior, así como científicos y académicos que llevan a cabo investigaciones exploratorias en nuevos materiales, estructuras de transistores y otros campos.Dado que el personal de I+D se ha trasladado al lugar de trabajo del nuevo edificio, la empresa estará completamente preparada para albergar a más de 7.000 empleados en septiembre de 2023.
El centro de I+D de TSMC cubre una superficie total de 300.000 metros cuadrados y cuenta con aproximadamente 42 campos de fútbol estándar.Está diseñado como un edificio ecológico con paredes de vegetación, piscinas de recolección de agua de lluvia, ventanas que maximizan el uso de la luz natural y paneles solares en el techo que pueden generar 287 kilovatios de electricidad en condiciones pico, lo que demuestra el compromiso de TSMC con el desarrollo sostenible.
El presidente de TSMC, Liu Deyin, declaró en la ceremonia de lanzamiento que ingresar ahora al centro de I+D desarrollará activamente tecnologías que liderarán la industria mundial de semiconductores, explorando tecnologías de hasta 2 nanómetros o incluso 1,4 nanómetros.Dijo que el centro de I+D comenzó a planificarse hace más de cinco años, con muchas ideas inteligentes en diseño y construcción, incluidos techos ultraaltos y espacios de trabajo de plástico.
Liu Deyin enfatizó que el aspecto más importante del centro de I+D no son los magníficos edificios, sino la tradición de I+D de TSMC.Dijo que el equipo de I+D desarrolló tecnología de 90 nm cuando ingresaron a la fábrica de Wafer 12 en 2003, y luego ingresó al centro de I+D para desarrollar tecnología de 2 nm 20 años después, que es 1/45 de 90 nm, lo que significa que deben permanecer en el centro de I+D. durante al menos 20 años.
Liu Deyin dijo que el personal de I+D del centro de I+D dará respuestas sobre el tamaño de los componentes semiconductores dentro de 20 años, qué materiales utilizar, cómo integrar la luz y el ácido electrogénico y cómo compartir operaciones digitales cuánticas, y descubrirá Los métodos de producción en masa.